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通過插入界面原子單層改進與IV族半導體的金屬接觸

869   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
2023-03-19 08:20:16
本公開案提供通過在金屬與半導體之間的界面插入V族或III族原子單層,或插入各自由單層形成的雙層,或插入多個所述雙層,減少金屬-半導體(IV族)結的比接觸電阻的技術。所得的低比電阻金屬-IV族半導體結應用為半導體設備中的低電阻電極,所述半導體設備包括電子設備(例如晶體管、二極管等)和光電設備(例如激光器、太陽能電池、光電探測器等),及/或應用為場效應晶體管(field?effect?transistor;FET)中的金屬源區及/或金屬漏區(或者所述金屬源區及/或金屬漏區的一部分)。III族原子單層和V族原子單層主要為有序的原子層,所述原子層形成于IV族半導體的表面并與IV族半導體的表面原子化學結合。
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聲明:
“通過插入界面原子單層改進與IV族半導體的金屬接觸” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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