本發明公開了一種具有垂直柵結構的SOI?CMOS器件的制作方法,該方法為:由下至上依次生長硅襯底層,埋層氧化層,單晶硅頂層;采用STI工藝在單晶硅頂層位置處形成的有源區進行氧化物隔離;有源區包括NMOS區和PMOS區;在NMOS區和PMOS區中間刻蝕一個窗口,利用熱氧化的方法在窗口內側壁形成NMOS和PMOS柵氧化層;在窗口處淀積多晶硅,填滿,摻雜,然后通過化學機械拋光形成垂直柵區;在NMOS和PMOS溝道采用多次離子注入的方式摻雜再快速退火,源漏區則采用離子注入方式重摻雜。本發明工藝簡單,制作出的器件占用面積小版圖層數少,能夠完全避免浮體效應,方便對寄生電阻電容的測試。
聲明:
“具有垂直柵結構的SOI CMOS器件的制作方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)