本發明公開了一種CMP分步研磨的方法,包括如下步驟:第一步,采用高轉速低壓力的化學機械研磨條件對產品硅片進行第一次研磨,來減小前膜膜厚,圖形分布帶來的差異;第二步,進行前膜測定,測定結果作為第二次研磨的依據;第三步,采用低轉速高壓力的化學機械研磨條件對產品硅片進行第二次研磨,通過減少研磨時間來減小因消耗品壽命變化帶來的膜厚波動;第四步,進行最終殘膜測定。該方法能減小產品差異或研磨速率波動帶來的殘膜膜厚異常。
聲明:
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