本發明涉及一種辨別碳化硅晶片硅碳面的方法,其特征在于,包括以下步驟:將機械精拋后的碳化硅晶片進行化學拋光;將化學拋光后的碳化硅晶片用原子力顯微鏡測試其表面,在原子力顯微鏡上顯示出所測試表面的粗糙度數值;若顯示出的粗糙度數值在0.10~0.50nm之間,則所測試的表面為硅面;若顯示出的粗糙度在0.80~3.00nm之間,則所測試的表面為碳面。本發明的特點是既不多加工序也不損傷晶片,即大大的降低成本、提高制片效率,且操作簡單安全;同時能省去一個定位邊,不但能減少再生長得到的晶體缺陷,提高晶體品質,而且與第一代半導體硅單晶片幾何尺寸標準相匹配。
聲明:
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