本發明公開了一種INALN緩沖層生長ALN和ALGAN的方法,其采用金屬有機化學氣相沉積外延生長系統在襯底上生長高質量ALN和ALGAN,該方法采用下述工藝步驟:(1)在襯底上直接生長INALN緩沖層或者生長完ALN或ALGAN形核層后再生長INALN緩沖層;(2)在INALN緩沖層上生長高質量的ALN或ALGAN結晶層;(3)進行器件結構的多層生長。利用本方法生長ALN或ALGAN晶體時,能降低材料的位錯密度,改善界面平整度,提高材料的質量;同時增大生長窗口,使材料生長更容易,進而改善日盲型的紫外探測器件的性能,大大提高我國探測器件的武器裝備水平。而且探測器件也是民用火災監測系統的主要部件。
聲明:
“INALN緩沖層生長ALN和ALGAN的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)