本發明提供了一種用于表征膜層的非破壞性的方法,提供使用比較過程(例如,匹配過程)比較元素和/或化學物質的被測峰值形態(例如,先前所測量的在某一被監測的特定程序下硅的峰值形態)和采集的光譜數據(例如,使用非線性最小二乘擬合算法)用于膜層的表征。進一步地,本發明使用采集的光譜數據提供膜層(例如,氮氧化硅膜厚度的測定)的表征。例如,已獲得的光譜可以是累積合成的并且該合成光譜的幾何特征可用于確定成分的濃度信息。薄膜的厚度測量可以基于上述的成分濃度信息被提供。
聲明:
“用于表征膜層的非破壞性的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)