一種氮化物半導體材料除氫激活提升p型導電性的方法,涉及III族氮化物半導體材料。設計三電極電化學處理裝置;將p型摻雜的半導體晶片密封至容器底部,作為工作電極;設置輔助電極和參比電極,與工作電極構成電化學三電極系統;選擇除氫電解液,加入容器中,并淹沒三電極;于工作電極和輔助電極之間施加直流偏壓,進行除H并激活p型雜質;激活處理完畢,取出p型半導體晶片,進行去離子水超聲清洗;利用電學裝置測試晶片的電學性質。操作簡便、無需高溫退火,可制備出具有良好導電特性的p型GaN和AlGaN材料,并且可對完整結構器件晶圓片做后期處理,在可見光、紫外、深紫外的LED、LD、探測器等光電子領域中有著廣泛的應用。
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