本發明采用一種經過改良的化學氣相沉積(CVD)法,結合離子交換機制和氣液固(VLS)生長機制制備出組份連續可調的InAsxP1-x合金納米線。其化學式為InAsxP1-x,其中0≤x≤1。這些合成的納米線都有好的結晶質量。且低溫(77K)下的光致發光表明這些InAsxP1-x納米線呈現出與組分相關的帶邊發射,峰值波長從860nm到2900nm連續可調。該方法簡單,成本較低,可操作性強。運用該方法合成的InAsxP1-x合金納米線在紅外光探測,生物傳感以及可調諧光電器件等領域都有潛在的運用價值。
聲明:
“InAsxP1-x合金納米線及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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