本公開涉及一種基板減薄方法,包括:對基板進行磨削;當完成磨削后,利用能夠根據基板的厚度分布分區調節壓力的承載頭對基板進行化學機械拋光。其中,在完成磨削之后且在化學機械拋光之前,測量已完成磨削的基板的厚度分布,并且根據基板的厚度分布調整承載頭對基板的各分區的加載壓力;或者在化學機械拋光期間,在線測量基板的厚度分布,并且根據基板的厚度分布調整承載頭對基板的各分區的加載壓力。通過將磨削和化學機械拋光工藝相結合,提供了加工基板最為經濟有效的技術路線,而且通過根據基板厚度分布進行化學機械拋光,提高了基板的厚度均勻性,可為超高密度的半導體堆疊制程提供技術保障。本公開還涉及一種基板減薄設備及其操作方法。
聲明:
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我是此專利(論文)的發明人(作者)