本發明涉及一種多結太陽電池漸變緩沖層的腐蝕方法。本發明屬于半導體材料技術領域。一種多結太陽電池漸變緩沖層的腐蝕方法,其特點是:多結太陽電池漸變緩沖層的腐蝕過程為:在砷化鎵襯底上生長0.8-1.2μm的GaAs緩沖層,180-220nm的GaInP阻擋層,1400-1800nm的AlGaInAs漸變緩沖層;將外延片用光刻膠進行保護,同時露出需要腐蝕測厚的部分;用化學腐蝕液對裸露部分進行腐蝕,化學腐蝕液采用檸檬酸、H2O2和磷酸溶液,腐蝕液溫度為20~25℃;腐蝕完畢后,用丙酮溶液除去光刻膠,用無水乙醇及去離子水將外延片清洗干凈后,即可測量AlGaInAs漸變緩沖層厚度。本發明具有方法簡單,操作方便,安全穩定,重復性好,不腐蝕GaInP阻擋層,可以實現準確測量漸變緩沖層的厚度等優點。
聲明:
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