本發明屬于化工材料技術領域,具體為一種硅片基硫化鉍納米花陣列的制備方法和應用。本發明方法包括:通過簡單的水熱法即可在硅片基底上進行硫化鉍納米花陣列的組裝,經過充分和烘干處理得到硅片基硫化鉍陣列結構。硅片上生長的硫化鉍納米花晶體,形貌均一,尺寸約為800nm,化學式為Bi2S3,本發明工藝簡便、具有普適性,可以制備其他硫化物。制得的硫化鉍納米花陣列,在光電檢測器和場發射等領域具有巨大的應用前景。
聲明:
“硅片基硫化鉍納米花陣列的半導體光電材料的制備方法和應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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