本發明公開了一種基于SOI的垂直梳齒制造工藝,SOI從下到上依次為襯底、絕緣層、Si層,步驟如下:(1)利用化學氣相沉積工藝在Si層上沉積一層SiO2薄膜,(2)刻蝕SiO2薄膜,(3)采用物理氣相沉積和剝離技術得到鋁電極;(4)采用物理氣相沉積和剝離技術得到Cr掩膜;(5)干刻,去除未被Cr掩膜覆蓋的SiO2薄膜;(6)Si層第一次干刻;(7)去除Cr掩膜;(8)Si層第二次干刻;(9)絕緣層刻蝕,釋放梳齒結構。采用簡單工藝同時制造出等高和不等高垂直梳齒結構,可實現加速度計三軸方向特別是Z軸方向上加速度的檢測。
聲明:
“基于SOI的垂直梳齒制造工藝” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)