本發明提供了一種CMOS影像傳感器及其形成方法,通過淺槽隔離與其相鄰的光電二極管之間形成有高K介質層,從而有效避免淺槽隔離結構中的(缺陷)電子移動傳遞到光電二極管中,進而防止光電二極管檢測到非光照產生的電流(即暗電流)。特別的,所述高K介質層通過化學氣相沉積工藝、爐管工藝或者原子層淀積工藝即可形成,其工藝實現方法簡單,膜層質量可靠,從而能夠很好地避免淺槽隔離結構中的(缺陷)電子移動傳遞到光電二極管中,保證CMOS影像傳感器的質量。
聲明:
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