本發明涉及微電子器件技術領域,具體涉及一種碳化硅功率器件及其加工制造方法;本發明首先采用高溫氣相沉積法制備碳化硅晶錠,然后對碳化硅晶錠進行整形并獲得碳化硅晶棒,然后對碳化硅晶錠進行切片并獲得碳化硅晶片,然后對碳化硅晶片依次進行研磨、拋光、檢測和清洗,從而獲得碳化硅襯底,然后通過化學氣相沉積法在碳化硅襯底的上表面上制備碳化硅外延層,從而獲得碳化硅晶圓,然后通過離子注入機向碳化硅晶圓中注入鋁離子用以形成P型摻雜區和氮離子用以形成漏極和源極的N型導電區,然后在JFET區制備結勢壘肖特基二極管等;本發明能夠有效地解決現有技術存在高溫、高壓耐性差、開關速度低以及生產成本高等問題。
聲明:
“碳化硅功率器件及其加工制造方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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