一種納米氧化銦氣敏材料的制備方法,屬于氧化物氣敏材料領域。本發明利用化學氣相沉積法在In2O3納米顆粒表面通過乙炔氣體分解制備碳包覆的In2O3納米顆粒,后經退火處理調控表面碳材料的構成和形貌,得到氣敏性能顯著增強的碳修飾的納米In2O3氣敏材料。本發明首次將碳修飾的納米In2O3材料應用于氣體檢測方向,相對于其他提高氣敏材料性能的方法,如濺射或蒸發制備金屬氧化物半導體薄膜、溶膠凝膠法制備具有特殊微結構形貌的納米顆粒、修飾摻雜貴金屬Pt、Pd、Au等方法,本發明具有方法簡單、成本低廉的優點,且得到的碳修飾的In2O3納米氣敏材料的氣敏性能有顯著的提高,在氣敏材料領域具有廣泛的應用前景。
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