本發明屬于納米材料制備技術領域,特別涉及一種基于雙層銀納米結構的硅基SERS基底的制備方法。本發明采用兩步無電化學沉積技術,第一步在硅片表面沉積制備出均勻的單層銀納米粒子,第二步在單層銀納米粒子上再沉積制備出網狀銀納米鏈,最終在硅片表面形成銀納米粒子和網狀銀納米鏈的雙層結構。與單層銀納米結構相比,雙層銀納米結構形成更多“熱點”區域,硅基SERS基底檢測呈現出高靈敏度特征。本發明的制作成本低,具有無掩模、常溫常壓的制備特點,為新型硅基SERS基底的結構設計與制備提供了新的思路和有效的技術手段。
聲明:
“基于雙層銀納米結構的硅基SERS基底的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)