本發明公開了一種CoCrPt-氧化物磁記錄靶材、薄膜及其制備方法,該CoCrPt-氧化物靶材包括SiO2,TiO2,CrO,Cr2O3,Ta2O3,W2O3,Al2O3,Y2O3等氧化物中的一種或幾種,其中氧化物相的平均晶粒尺寸在3~20μm。合金靶材中Co、Cr、Pt形成α-Co及ε-Co兩相Co基固溶體,其中以低溫相六方ε-Co固溶體為主,靶材的厚度在2~6mm之間,靶材的透磁率(PTF)值40%~60%之間。由該合金靶材制得的磁記錄介質的磁記錄層呈(002)晶面的擇優取向生長,在X衍射分析中,用式(1)表示的(002)晶面的X射線衍射峰強度比:………………………式(1)為70%~90%。本發明的濺射靶,有害雜質元素含量低,晶粒尺寸細小均勻,化學成份均勻且偏離名義成分較小。使用上述濺射靶材制備的磁記錄介質,該磁記錄介質晶粒細小均勻、非磁性晶界明顯,磁學性能優良。
聲明:
“CoCrPt-氧化物磁記錄靶材、薄膜及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)