本發明涉及一種半導體裝置。在使用氧化物半導體的半導體裝置中提高電特性,并且提供一種電特性變動少且可靠性高的半導體裝置。一種半導體裝置,包括:進行熱脫附譜分析時的400℃以上的任意溫度下的氫分子的脫離量為300℃下的氫分子的脫離量的130%以下的第一絕緣膜;第一絕緣膜上的第一阻擋膜;第一阻擋膜上的具有包含超過化學計量組成的氧的區域的第二絕緣膜;以及第二絕緣膜上的包括第一氧化物半導體膜的第一晶體管。
聲明:
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