本發明公開了一種硒化銻薄膜在線硒補償方法及裝置。本發明的方法是在應用濺射法制備硒化銻薄膜的過程中,在生長室腔體內蒸發固體硒源,以進行在線硒補償,優化薄膜成分。本發明方法通過調節蒸發硒源的溫度時間等參數,可對制備的硒化銻薄膜化學成分進行調節并使之符合化學計量比,解決了應用濺射法制備硒化銻薄膜硒缺失的問題。本發明的裝置是在生長室內設有濺射系統和熱蒸發系統;所述濺射系統是在所述生長室內設置有帶加熱絲的旋轉襯底臺和設置于襯底臺下方的濺射靶,以及在所述生長室上設置有冷卻系統、進氣系統、抽真空系統和氣壓檢測系統;所述熱蒸發系統是在所述生長室內設置有用于盛放固態硒源的熱蒸發坩堝。
聲明:
“硒化銻薄膜制備方法及裝置” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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