本公開的方法包括:工序(I),對聚合物膜(1)照射由在回旋加速器中加速后的離子(2)構成的離子束,從而形成經該離子束中的離子碰撞后的聚合物膜;和工序(II),對在工序(I)中形成的聚合物膜進行化學蝕刻,從而在聚合物膜中形成與離子碰撞的軌跡(3)對應的開口(4b)和/或通孔(4a)。在工序(I)中,在離子束的路徑上的聚合物膜的上游和/或下游檢測離子束的束電流值,并且基于檢測出的束電流值控制離子束對聚合物膜的照射條件,使得離子對聚合物膜的照射密度為設定值。本公開的方法適合于多孔聚合物膜的工業生產。
聲明:
“多孔聚合物膜的制造方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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