本發明提供了一種表面增強拉曼散射基底,其包括:支撐襯底,呈直立狀地生長于所述支撐襯底上的半導體納米片陣列;以及,沉積于所述半導體納米片陣列上的貴金屬層。本發明還提供了如上所述的表面增強拉曼散射基底的制備方法及其在檢測待測物的拉曼信號的應用。本發明提供的表面增強拉曼散射基底,其中的檢測功能層包括由半導體納米片陣列和貴金屬層構成的半導體?金屬的異質結結構,其不僅具有物理增強作用,還具有較強的化學增強作用,從而使該結構具有非常高的表面增強拉曼活性,并且具有很高的穩定性和重復性。
聲明:
“表面增強拉曼散射基底及其制備方法和應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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