本發明涉及一種雙柵ISFET模型的仿真方法。步驟如下:1:獲取待仿真雙柵離子敏感場效應晶體管(ISFET)器件的結構參數;2:根據電解質的物理化學特性,利用TCAD工具重定義電解質的材料參數;3:構建網格化的雙柵ISFET模型;4:設置摻雜、界面狀態、接觸類型等;5:獲取I?V特性和pH特性曲線,并對仿真結果進行分析;6:根據分析結果,選擇不同的材料和尺寸再次進行模擬;7:對比不同結構參數的仿真結果,獲取性能優良的雙柵ISFET器件。本發明提供的仿真方法可優化器件的結構和材料參數,進一步提高雙柵ISFET器件的pH靈敏度,從而節約器件的研發成本,為雙柵ISFET器件的研制提供一定的指導。
聲明:
“雙柵ISFET模型的仿真方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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