本發明公開了一種判定晶體管鍵合彈坑的方法,檢測步驟為:1)配氫氧化鈉溶液,放入燒杯,加熱;2)將鍵合好的樣品完全浸入氫氧化鈉溶液中;3)鍵合鋁絲和芯片表面的鋁完全反應掉后,取出,用酒精清洗干凈后,在顯微鏡中觀察;4)觀察清洗后的芯片,在鍵合點位置是否有損傷,如果有損傷,說明當前鍵合工序鍵合是有問題的,需要調整,如無損傷,說明當前鍵合工序鍵合是有問題的。本發明通過化學方法對樣品進行腐蝕解剖,去除芯片表面的鋁層,觀察鋁層下面的硅層狀態來判斷鍵合質量的好壞,檢測步驟簡單,檢測效果好。
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