本發明公開了一種改性二氧化硅納米孔道膜修飾電極及制備方法和應用,屬于新材料技術領域。所述制備方法包括:(1)在電極基底上制備具有開放孔結構的二氧化硅納米孔道薄膜;(2)利用電泳法、靜電吸附法或共價固定法將石墨烯量子點入孔修飾二氧化硅納米孔道,制得所述的改性二氧化硅納米孔道膜修飾電極。本發明以小尺寸的GQDs作為功能砌塊入孔修飾VMSF電極,制備多樣化傳感界面,由于孔道的電負性以及石墨烯量子點對金屬離子的配位作用和對多巴胺的π?π堆積作用,可對檢測物實現預富集作用,顯著提高待測物檢測性能,結合VMSF防玷污/抗干擾能力,在復雜樣品中多類活性組分的直接、高靈敏電化學檢測中具有巨大的應用前景。
聲明:
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