本發明公開了一種晶圓工藝條件的控制系統及控制方法,根據在化學氣相沉積工藝的時間和溫度等條件一定的情況下,晶圓表面沉積薄膜的厚度與其對應的光罩透光率呈線性負相關,先統計分析同一批次晶圓對應的光罩透光率范圍,再針對每個晶圓,根據晶圓對應的光罩透光率在整個光罩透光率范圍中所處的位置確定調整所述晶圓的工藝時間和工藝溫度:若所述光罩透光率越大,則所述晶圓的化學沉積時間越長,或者所述晶圓的化學沉積溫度越高。如此,能最大限度度地對化學氣相沉積工藝中同一批次晶圓的表面沉積薄膜的厚度進行補償調節,使得化學氣相沉積工藝中同一批次的多個晶圓的表面沉積薄膜的厚度一致。
聲明:
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