本發明通過水熱和煅燒反應合成了一種生長在鎳泡沫上低析氫電位的雙功能催化劑N?NiZnCu?LDH/rGO納米片,并分析了該材料的形貌、結構和電化學性能。實驗表明,陽極和陰極都使用泡沫鎳上N?NiZnCu?LDH/rGO的電解槽,在10mA·cm?2的電流密度下,UOR,AOR和HzOR的槽電壓分別為1.305V,0.489V和0.010V,均比貴金屬電解槽Pt/C||IrO2的電位低,并且在3000次循環后其電流密度基本保持不變,穩定性好。另外,對比一些近年的析氫材料的電位,相同電流密度下N?NiZnCu?LDH/rGO的電位依然是很低的。因此,本發明的納米片材料作為雙功能催化劑具有很大潛力。
聲明:
“在泡沫鎳上的N-NiZnCu LDH/rGO納米片陣列材料的制備方法和應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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