本發明提供一種微型金剛石陣列電極及其制備方法。包括:在絕緣層上制備鉭金屬層;在鉭金屬層上制備氮化硅保護層并進行第一圖形化;在氮化硅保護層上制備二氧化硅犧牲層并進行第二圖形化;在二氧化硅犧牲層上制備金剛石薄膜層并進行第三圖形化。本發明采用MEMS技術結合二氧化硅犧牲層的圖形化處理將BDD薄膜加工成超微電極陣列,進而提高BDD電極在電化學檢測中的響應電流密度、提高信噪比和降低檢測限??刂齐姌O間距與其特征尺寸之比大于10,使得電極表面的離子擴散以非線性擴散為主,具有傳質速度快、電流密度高和歐姆壓降小等特點,在提高電化學檢測的響應電流、提高信噪比和降低檢測限方面具有獨特的優勢。
聲明:
“微型金剛石陣列電極及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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