本發明公開了一種納米氫氧化鈷-石墨烯復合膜、其制備方法及應用。所述復合膜,包括納米石墨烯底層和納米氫氧化鈷表層,所述納米石墨烯底層厚度在4000nm至6000nm之間,所述納米氫氧化鈷表層厚度在50nm至100nm之間,所述納米氫氧化鈷表層均勻沉積在所述納米石墨烯底層上。其制備方法,包括以下步驟:將氧化石墨烯均勻分散于水中,涂敷在片狀導電基底上,干燥得到納米氧化石墨烯膜;組建三電極體系采用循環伏安法將氫氧化鈷沉積在納米石墨烯膜表面,干燥。本發明所提供的方法操作簡單、環境友好等優點。本發明提供的復合薄膜應用于納米電化學傳感器領域時可顯著提高特定物質的檢測限和檢測靈敏度,應用前景十分廣闊。
聲明:
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