本發明涉及CUTE單晶納米帶,特別涉及一種用電化學沉積制備CUTE單晶納米帶的方法。以TE的化合物和CU鹽為主要原料,以氨水為介質,以PT片、飽和甘汞電極分別作對電極和參比電極,以導電玻璃或金屬片(如CU片)為工作電極,通過電化學分析儀給工作電極加上一定的電位,恒定溫度下反應一段時間后,在工作電極上得到大量的CUTE單晶納米帶。CUTE單晶納米帶的厚度為10~100NM;寬度為100~800NM;長度幾微米。所述的CUTE單晶納米帶為正交結構,沿[010]方向擇優生長。
聲明:
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