利用光刻技術在圓片上形成半導體器件的方法包括以下幾個步驟:在涂敷裝置(5)內的所述圓片上涂上(13)一層光刻涂層;在曝光工具(4)中,透過標度線照射對所述圓片進行曝光(14);穩固(15)所述光刻涂層以激活化學反應,并在顯影裝置(6)中的所述預設區域內沖洗所述光刻涂層以顯出圓片表面的預設光刻涂層圖案;在穩固裝置(7)內穩固(16)光刻涂層以加固圓片表面的所述圖案;在測量工具中對所述圓片表面的光刻涂層圖案進行(17)測量檢測;在處理單元(9)中對所述圓片進行蝕刻、濕制程或離子注入(18),其中,在沖洗和熱烘所述光刻涂層之后,與所述穩固裝置(7)相鄰的原子顯微檢測模塊(11)上的原子顯微鏡立即進行所述測量檢測。
聲明:
“在圓片和儀器上形成半導體器件的光刻方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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