本發明提供一種識別AlGaN/GaN?HEMTs中電活性輻射缺陷分布區域的方法,包括:測試AlGaN/GaN?HEMTs的電化學性能,確定器件的開態、半開態和關態的柵極電壓范圍;在不同柵極電壓下對AlGaN/GaN?HEMTs進行深能級缺陷測試;分析不同柵極電壓條件下AlGaN/GaN?HEMTs中電活性輻射缺陷的分布區域。本發明提供的識別AlGaN/GaN?HEMTs中電活性輻射缺陷分布區域的方法既能夠確定缺陷濃度,還能夠確定缺陷的位置,且步驟簡單,易于操作,對材料和器件空間環境效應具有重大的意義。
聲明:
“識別AlGaN/GaN-HEMTs中電活性輻射缺陷分布區域的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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