在目標變量分析部(11)根據單體單元的共聚合反應性比算出已知共聚物樣本的組成中單體單元的三元組分數從而求得目標變量,在波形處理部(12)進行NMR測定以及信號等的處理,在解釋變量分析部(13)根據該已知樣本的NMR測定中化學位移量以及信號強度得出解釋變量,在模型建立部(14)根據偏最小二乘回歸求得目標變量和解釋變量的回歸模型的回歸式,求得回歸模型的因子,在樣本解析部(15)用所述回歸模型,根據未知樣本共聚物的NMR測定中的化學位移量和信號強度,用算出該未知樣本中三元組分數的方法算出。通過使用這樣得到的三元組分數的合計是共聚物中20摩爾%以下的光刻技術用共聚物,能夠制備溶解性以及靈敏度優異的抗蝕劑組合物。
聲明:
“光刻技術用共聚物及其制造方法,抗蝕劑組合物,形成圖案的基板的制造方法,共聚物的評價方法,共聚物組成解析方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)