本發明公開了一種重摻砷襯底上外延層過渡區的控制方法。本發明采用化學氣相沉積技術,在N型重摻砷硅襯底上分兩次生長輕摻的薄硅外延層。即生長完第一層本征外延層后,降至870-930℃取出,此期間通入HCL腐蝕基座除去記憶效應,腐蝕完成后,再把該片在870-930℃下裝爐,重新生長余下的外延層。經用擴展電阻分析儀對用常規方法和本發明的方法制得的外延層進行檢驗、比較,發現本發明所述方法制得的外延層過渡區陡峭,外延層的電阻率的均勻性很好。
聲明:
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