本發明適用于金屬有機物化學氣相沉積領域,公開了MOCVD反應室壓力控制系統即壓力控制方法,其中MOCVD反應室壓力控制系統,包括壓力檢測單元、分析單元和執行模組,執行模組包括均與反應室連通的進氣單元和尾氣單元,尾氣單元包括至少兩組排氣組件,每組排氣組件均包括與反應室連通的排氣管路、與排氣管路連接的泵體、以及設置在排氣管路與泵體之間的調節閥,壓力檢測單元用于檢測反應室的實時壓力,MOCVD反應室壓力控制系統通過控制進氣單元是否參與工藝運行過程以及通過控制尾氣單元哪組排氣組件參與工藝運行過程來使反應室的實時壓力與設定壓力基本保持一致,從而為反應室提供穩定的氣場流,進而提高外延材料的厚度和組分均勻性。
聲明:
“MOCVD反應室壓力控制系統及壓力控制方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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