本發明涉及一種應用于大電流傳感器的氧化鉛摻雜石英光纖的制備方法,屬光纖技術領域。本發明采用改進的化學氣相沉積法(MCVD)制棒機上沉積摻雜少量高折射率的GeO2芯棒,在芯棒上利用直接納米粒子沉積法,將氧化鉛納米粒子均勻沉積在含GeO2的芯棒表面,然后采用MCVD技術制備包層材料,最后高溫縮棒得到光纖預制棒并進行光纖拉制。本發明中的一種應用于大電流傳感器的氧化鉛摻雜石英光纖結構簡單、合理,具有均一性好、分散性高、摻雜濃度高、納米量級摻雜及Verdet常數高等優點,主要應用于光纖大電流傳感器,光隔離器,及抗輻射光纖傳感器、非線性光學以及磁光開關,磁光調制器等其他磁光器件的應用。
聲明:
“測量大電流傳感器的氧化鉛摻雜石英光纖的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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