本發明涉及紅外探測器芯片,特指一種鉛鹽紅外探測器芯片結構及其制備方法。所述鉛鹽紅外探測器芯片結構從下至上包括圖形化襯底、鉛鹽化合物薄膜、鈍化層和金屬電極層;采用襯底預處理方式獲得圖形化襯底,然后在圖形化襯底上通過化學沉積或者物理沉積等方法沉積鉛鹽薄膜;在圖形化襯底上獲得的鉛鹽薄膜表面會繼承襯底上圖形,從而獲得表面粗化的鉛鹽薄膜。整個制備工藝簡單、易控,制備裝置簡單、成本低廉,適用于批量化生產制造。
聲明:
“鉛鹽紅外探測器芯片結構及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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