本發明提出了本發明提出一種g?CN/Si異質結位置敏感探測器及其制備方法,g?CN/Si異質結位置敏感探測器包括硅襯底和硅襯底的上沉積的g?CN薄膜,以及g?CN薄膜上設置有四個電極;所屬制備方法包括:(1)采用化學氣相沉積在Si襯底上制備g?CN薄膜;(2)在g?CN薄膜上通過熱蒸發技術蒸鍍金屬層,采用紫外光刻技術去除金屬層多余的金屬,得到電極結構。本發明的位置敏感探測器顯示出極高的位置靈敏度,可以實現對光斑位置的實時追蹤測試。
聲明:
“g-CN/Si異質結位置敏感探測器及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)