本發明公開了一種納米壓痕法測定無殘余應力薄膜的方法,屬于薄膜測試方法的技術領域。本發明的納米壓痕測試無殘余應力薄膜的步驟為:將制備得到無應力試樣薄膜與沒有去除基底的薄膜試樣進行納米壓痕試驗,得到薄膜試樣的壓痕數據,再利用Suresh理論模型進行計算。本發明的無殘余應力是通過物理氣相沉積或化學氣相沉積將薄膜濺射或沉積在單晶晶體上,然后去除晶體而得到。本發明獲得的無殘余應力的試樣薄膜與基底結合的界面應力完全去除,且納米壓痕試驗過程中,薄膜能夠無底面支撐,以避免底面對測量結果產生影響。該無殘余應力的薄膜大大提高了納米壓痕測試法Suresh理論模型的適應性和實用性。
聲明:
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