本發明公開了一種雪崩放大長波量子阱紅外探測器,包括InP襯底(1)及 通過分子束外延或金屬有機化學氣相沉積依次生長于InP襯底(1)上的下電極 (2)、多個周期的多量子阱層(3)、上電極(4),所述多個周期的多量子阱層(3) 中InP作為勢壘層,InxGa1-xAsyP1-y作為量子阱層,當器件工作時,在InxGa1-xAsyP1-y 量子阱層可以產生雪崩放大。本發明增強探測器的量子效率,提高器件的響應 率,實現對長波紅外光的探測。
聲明:
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