本發明提供了一種基于硫化鉭薄膜的測輻射熱計及其制備方法和用途,所述測輻射熱計包括硫化鉭薄膜、支撐電極和讀出電路,其中硫化鉭薄膜懸空放置于支撐電極上,支撐電極與讀出電路連接。本發明中所述硫化鉭薄膜通過低壓化學氣相沉積方法在基底上生長并通過濕法轉移去掉基底成為懸空薄膜;所述硫化鉭薄膜位于支撐電極之上,吸收熱輻射使自身溫度發生改變,所述硫化鉭薄膜作為熱敏材料具備極高的電阻溫度系數,可在讀出電路中測出電路的阻值變化,從而可用于紅外探測、紅外成像、熱成像等。
聲明:
“基于硫化鉭薄膜的測輻射熱計及其制備方法和用途” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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