本發明公開了一種預沉積擴散源制備銦鎵砷光電探測器芯片的擴散方法,它涉及化合物半導體器件制造的擴散工藝。其通過磁控濺射的方式在制備有氮化硅擴散掩膜的銦鎵砷外延片上預沉積上一層鋅擴散源,采用等離子增強化學氣相沉積設備將鋅擴散源覆蓋起來,在快速退火爐中進行開管高溫梯度擴散,完成化合物半導體銦鎵砷外延片的鋅擴散工藝。本發明擴散出的銦鎵砷光電探測芯片光電性能片內、片間均勻性好、重復性好,可根據快速退火爐尺寸相應擴大銦鎵砷外延片尺寸,特別適合三五族化合物半導體探測器芯片的生產。
聲明:
“預沉積擴散源制備銦鎵砷光電探測器芯片的擴散方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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