NixMg1-xO短波長紫外光探測材料屬于半導體材料技術領域?,F有GaxAl1-xN材料存在的 不足有,首先,制作薄膜所使用的藍寶石襯底昂貴;其次,需要使用化學氣相沉積等大型、 復雜設備生長,生長溫度也較高,造成了能源的浪費;第三,禁帶寬度調節范圍較小,即 3.4~6.2eV;第四,GaN和AlN晶格失配和離子半徑失配較大,分別為1.8%和15%。本發明 之短波長紫外光探測材料的分子式為NixMg1-xO,0≤X≤1。以石英玻璃為襯底在磁控濺射設備 中制作NixMg1-xO短波長紫外光探測薄膜,所制備的薄膜晶格失配和離子半徑失配很小,分 別為0.7%和5.7%,禁帶寬度為3.6~7.8eV。用來制作短波長紫外光探測器件。
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