本發明提供了一種監測退火過程溫度的方法,其包括通過低溫化學氣相沉積方式在晶圓上生長第一厚度的未摻雜的多晶硅層;以第一高溫退火的方式高溫氧化具有多晶硅層的晶圓;對高溫氧化后的晶圓進行離子植入,并對其進行第一次退火處理;以及測量所述晶圓的電阻變化,從而獲得對第一高溫退火過程溫度的監測。通過本方法,所用的測試晶圓可重復利用,有效地節約了成本。
聲明:
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