本發明涉及一種自支撐高增益柔性硅基光電探測器的制備方法,通過化學腐蝕對單晶硅進行減薄使之具有柔韌性,并在柔性單晶硅表面制備具有準周期微錐結構的過飽和摻雜層,以此形成柔性黑硅。再經過退火處理激活黑硅層中的摻雜元素,極大提高了柔性單晶硅的吸收率并拓展了其光譜吸收范圍。該柔性硅基光電探測器工作在反偏電壓下,吸收光子產生光生電子?空穴對,在外電場作用下分離,最終被電極收集后形成光電流,從而實現了光探測。本發明具有工藝簡單,原材料易獲取,易操控等優點,本發明所制備的柔性硅基光電探測器一方面實現了自支撐,另一方面實現了低偏壓下高增益及寬譜的特性,并克服了有機柔性光電探測器響應時間較長的缺點。
聲明:
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