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銦鎵砷焦平面探測器的列陣微臺面的制備方法

1092   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
2023-03-19 07:28:46
本發明公開了一種銦鎵砷焦平面探測器的列陣 微臺面的制備方法,該方法先用 Ar+離子干法刻蝕掉P型InP層, 再用濕法化學腐蝕掉InGaAs吸收層,這樣既可提高光敏面的 圖形保真度,又可減小InGaAs吸收層側面損傷。并通過硫化 處理,去掉表面氧化層,覆蓋新的ZnS/聚酰亞胺雙層鈍化膜。 ZnS層有效地起到抗反射和減小InP和InGaAs層表面態的作 用,可以增加探測器的量子效率和減小暗電流,較厚聚酰亞胺 層起到鈍化加固和抗輻射作用,提高器件的長時間穩定性和可 靠性。該工藝適用于均勻性要求高的大線列或面陣臺面InGaAs 焦平面探測器的研制。
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“銦鎵砷焦平面探測器的列陣微臺面的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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