本發明提供一種MgGa2O4紫外探測器及其制備方法,其中的方法包括:S1、以有機鎂化合物作為鎂源,有機鎵化合物作為鎵源,以高純氧氣為氧源,利用金屬有機化合物化學氣相沉積法在襯底的表面生長MgGa2O4薄膜;S2、在MgGa2O4薄膜上使用負膠光刻形成叉指電極掩膜,在叉指電極掩膜濺射金屬后將叉指電極掩膜去除,形成叉指電極;S3、在叉指電極上按壓In粒,得到MSM結構的MgGa2O4紫外探測器。與現有技術相比,本發明使用金屬有機化合物化學氣相沉積法制備MgGa2O4薄膜,通過增加氧氣流量、增加氧分壓、減少氧缺陷的方式,使得制備的MgGa2O4薄膜具有結晶質量高、不出現分相、吸收截止邊陡峭等特點,進而使包含MgGa2O4薄膜的紫外探測器具有較低的暗電流和較快的光響應速度。
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