本發明公開了一種低應力鈍化的臺面型延伸波長銦鎵砷探測器制備方法,其結構為:在半絕緣InP襯底上,依次生長N+型InP層,組分漸變的N+型InxAl1?xAs緩沖層,InxGa1?xAs吸收層,P+型InxAl1?xAs帽層,氮化硅SiNx鈍化膜,P電極,加厚電極。鈍化膜為感應耦合等離子體化學氣相沉積技術生長低應力氮化硅鈍化膜。本發明的優點在于:采用低應力的氮化硅薄膜鈍化,控制大面陣探測器芯片的翹曲度
聲明:
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