本發明公開了一種紫外探測器及其制備方法,該紫外探測器的制備方法包括清洗鈦片、電化學腐蝕鈦片預處理、生長p型GaN納米陣列、電化學腐蝕制備TiO2和蒸鍍電極,該紫外探測器具有較高比容的GaN和TiO2,生成異質結電場,可實現對光生電子/空穴的快速分離。本發明得到的紫外探測器具有較高的暗光電流比,同時具有自驅動和高響應速度等特點。
聲明:
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