本發明涉及一種碲銦汞光電探測器芯片制作方法,經過碲銦汞(Hg3In2Te)晶片表面處理、晶片表面生長氧化層、生長鈍化保護層、去除探測器光敏區的鈍化層、在光敏區形成碲銦汞氧化膜、生長透明金屬電極(ITO)薄膜、利用光刻技術及剝離工藝,最后去除電極以外區域的ITO膜形成肖特基接觸電極結構,在晶片表面生長氧化層以及在光敏區形成碲銦汞氧化膜是利用等離子增強化學氣相淀積(PECVD)系統依靠自身氧化生長而成。由于采用等離子氧化技術使得碲銦汞晶片氧化膜具有均勻、致密、穩定等優點,提高了肖特基勢壘,所以與ITO透明金屬電極形成的肖特基結構,充分發揮了肖特基型光電探測器是一種多子器件、沒有“少子”存貯效應的特性,開關時間短,具有良好的高頻特性和開光特性,而且提高了開路電壓與效率。
聲明:
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