本發明公開了一種碲化銻光電探測器件及其制備方法,方法包括:在襯底上蒸鍍Sb2Te3薄膜生長的催化層;在具有催化層的襯底上蒸鍍Sb2Te3薄膜;對Sb2Te3薄膜進行退火處理;在完成退火處理的Sb2Te3薄膜上蒸鍍第一有機材料形成增強吸收層,形成襯底材料/Sb2Te3/第一有機材料異質結;在異質結兩端制備電極得到碲化銻光電探測器件或線列,在可見光?近紅外波段的吸收明顯提高并擁有較高的電子遷移率。本方法相比于化學氣相沉積法(CVD)、分子束外延(MBE)、磁控濺射等鍍膜方法,制備周期短,操作簡單且制備的探測器性能優異,對新型低維材料、拓撲絕緣體光電探測器的研究提供了參考和理論實踐依據。
聲明:
“碲化銻光電探測器件及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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